专利名称：发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：樊邦弘,翁新川申请号：CN200810025948.7申请日：20080119公开号：CN101222015A公开日：20080716
摘要：本发明提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；保护层，覆盖p型半导体材料层；穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极；以及围绕n型半导体材料层形成并与之电接触的阴极。本发明还提供了具有该发光二极管的封装结构及该发光二极管的制造方法。根据本发明的发光二极管的发光效率增加了50％以上。
申请人：鹤山丽得电子实业有限公司
地址：529728 广东省鹤山市共和镇祥和路301号
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容