专利名称：双向电源开关专利类型：发明专利
发明人：沈征,戴维·诺博鲁·奥卡达申请号：CN200480001444.1申请日：20040204公开号：CN1735971A公开日：20060215
摘要：由两个或更多的MOS管组成的半导体器件形成一个双向电源开关。该双向开关的一个实例由以下几部分组成：(a)一个具有上表面和下表面的半导体衬底；(b)在半导体衬底内紧邻上表面处具有第一种传导性的第一区；(c)在第一区内具有第二种传导性的第一和第二源区；(d)在第一区内，第一和第二源区之间，紧邻上表面处形成的具有第二种传导性的漏区；(e)连接第一源区的第一源镀层；(f)连接第二源区的第二源镀层；(g)高于上表面处，放置在第一和第二源之间的第一栅。此处，第一栅覆盖了第一源区和漏区的一部分；(h)高于上表面处，放置在第二源和第一栅之间的第二栅。此处，第二栅覆盖了第二源区和漏区的一部分。
申请人：长城半导体公司
地址：美国亚利桑那
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：王英
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容