专利名称：一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架专利类型：实用新型专利
发明人：罗天秀,樊增勇,李东,崔金忠,许兵,任伟,刘剑申请号：CN201621004025.X申请日：20160831公开号：CN206179858U公开日：20170517
摘要：本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应，在该框架上设有与其短边平行的分区槽，将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
申请人：成都先进功率半导体股份有限公司
地址：611731 四川省成都市高新区科新路8号
国籍：CN
代理机构：四川力久律师事务所
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