专利名称：一种横向功率器件漂移区的制造方法专利类型：发明专利
发明人：乔明,章文通,叶珂,祁娇娇,薛腾飞,张波申请号：CN201310525073.8申请日：20131030公开号：CN103545220A公开日：20140129
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条21；在N型掺杂条22和P型掺杂条21之间刻蚀介质槽3；对介质槽3进行介质填充；平坦化去除多余的介质。本发明的有益效果为，有利地弥补了传统掺杂和注入无法形成一定深度的PN掺杂条的不足，同时制造过程中可以通过控制介质槽的深宽比、漂移区长度和N（P）型条的掺杂剂量，以及漂移区的浓度来控制器件的耐压。本发明尤其适用于横向功率器件漂移区的制造。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)
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