（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210533406.7 （22）申请日 2012.12.12
（71）申请人 泰通(泰州)工业有限公司
地址 225312 江苏省泰州市九龙台商工业园姚家路泰通(泰州)工业有限公司
（10）申请公布号 CN102969367A
（43）申请公布日 2013.03.13
（72）发明人 鲁伟明
（74）专利代理机构 常州市维益专利事务所
代理人 王凌霄
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法
（57）摘要
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池P型
硅背面钝化膜及其制备方法，所述钝化膜由上下两层SiOxNy薄膜组成，所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜，第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。这种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜克服了高温氧化对硅片少子寿命的损伤，也避免了SiNx膜中正电荷对背表面钝化的影响，极大的改善电池的开路电压和转换效率，且制备工艺简单，成本低廉，可以极大地降低电池
片的处理成本，降低电池生产成本，易于实现大规模产业化应用。
法律状态
法律状态公告日
2013-03-13 2013-04-10 2015-09-09
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
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发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
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说明书
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