专利名称：正电极活性物质、其制备方法和包括其的锂二次电
池
专利类型：发明专利发明人：赵广焕
申请号：CN201980019351.8申请日：20190418公开号：CN111902976A公开日：20201106
摘要：本公开涉及一种正电极活性物质、其制备方法和包括其的锂二次电池。根据实施方式的正电极活性物质包括：核，该核含有由化学式1表示的锂镍复合氧化物；和表面层，该表面层存在于该核上并且含有水溶性铵类有机化合物和水溶性胺类有机化合物中的至少一种。化学式1的细节为如在说明书中限定的。
申请人：三星SDI株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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