11一导项目 一 二 三 四 五 总分 0 2－第半 年 满分 100 0学期1 学0得分 211 院0一2 一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、
学－第术多选均不得分）
年 技01．半导体硅材料的晶格结构是（ ）
1学业0 A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2 职 11院02．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）
2Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 息信 学 3．硅单晶中的层错属于（ ）
术－ Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 0 州常 技 1 4．施主杂质电离后向半导体提供（ ），受主杂质电离后向半导体提供（ ），本征激 0 业 2 发后向半导体提供（ ）。 A 空穴 B 电子
5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ ）
级名号绩A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 班姓学成6．衡量电子填充能级水平的是（ ）
Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级
7．载流子的迁移率是描述载流子( )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子 ( )的一个物理量。
A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢
8．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为1.1×1015cm－
3的磷，则电 子浓度约为（ ），空穴浓度为（ ），费米能级（ ）；将该半导体升温至570K， 则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）。（已知：室温下，ni≈1.5×
1010cm－3，570K时，ni≈2×1017cm－
3）
A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.1×1015cm－
3
装订D 2.25×105cm－3 E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－
3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei
9．载流子的扩散运动产生（ ）电流，漂移运动产生（ ）电流。
A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ ）
Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管
11．平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np 12．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是 （ ） A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电势； BiFA VS=VB B VS=2VB C VS=0 15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 （ ） A．较厚 B．较薄 C．很薄 16．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ ）。 A．展宽 B．变窄 C．不变 17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ ）。 A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压 19．真空能级和费米能级的能值差称为（ ） A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 20．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ） A 发射区 B 基区 C 集电区 21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（ ） A P沟道增强型 B P沟道耗尽型 C N沟道增强型 D N沟道耗尽型 二、判断题（共20分，每题１分） ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。 ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。 ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。 ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。 ）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 ）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 １０． （ ）MOS型的集成电路是当今集成电路的主流产品。 １１． （ ）平衡PN结中费米能级处处相等。 １２． （ ）能够产生隧道效应的PN结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。 １３． （ ）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。 １４． （ ）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。 １５． （ ）高频下，pn结失去整流特性的因素是pn结电容 １６． （ ）pn结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。 １７． （ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。 １８． （ ）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。 １９． （ ）制造MOS器件常常选用[111]晶向的硅单晶。 ２０． （ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。 三、 名词解释 (共15分，每题5分，给出关键词得3分) 1．雪崩击穿 １．（２．（３．（４．（５．（６．（７．（８．（９．（ 2．非平衡载流子 3．共有化运动 四、 问答题（22分） 1．简述肖特基二极管的优缺点。（6分） 2．MIS结构中，以金属—绝缘体—P型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？ （6分，每一个2分） 3．如何加电压才能使NPN晶体管起放大作用。请画出平衡时和放大工作时的能带图。（10分，回答4分，图6分） 五、 计算题（共13分） 1. 计算（1）掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0，其中本征载流子浓度ni=2×1010个/cm3。（5分）（2）如果在（1）中掺入NA=5×1014个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少？（5分）（3）若在（1）中掺入NA=1×1015个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0又为多少？（3分） 因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容