专利名称：钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜专利类型：发明专利发明人：神永贤吾,大桥一允申请号：CN201380040553.3申请日：20131024公开号：CN104508176A公开日：20150408
摘要：一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。
申请人：吉坤日矿日石金属株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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