专利名称：高纯二氧化锰及其制备和锰酸锂正极材料及其制备
方法
专利类型：发明专利发明人：彭天剑
申请号：CN201010107876.8申请日：20100210公开号：CN101786666A公开日：20100728
摘要：本发明属于电池正极材料及其制备领域，具体公开了一种纯β型、纯度在99.5％以上、中位粒径在5～25μm的高纯二氧化锰，其中杂质金属铜、铅、锌的含量均小于10ppm，钠、钾等的含量均小于50ppm，硫酸根的小于300ppm，其制备方法是先制得硝酸锰溶液，然后将其煅烧，再进行微细化粉碎，得到成品。本发明还公开了一种锰酸锂正极材料，其中钠、钾、钙、镁的含量均小于50ppm；铁、铜等的含量均小于10ppm，硫酸根小于500ppm，其制备是以高纯二氧化锰为锰源，然后将TiO、NiO、AlO中的至少一种与锰源混匀，再与锂源混合使锂与非锂金属的原子摩尔比为(0.9～1.2)∶2，最后经焙烧、冷却、粉碎制得成品。本发明的方法成本低，易操作，制得的锰酸锂正极材料纯度高且能有效提高电池循环性能和比容量。
申请人：彭天剑
地址：410016 湖南省长沙市雨花区人民东路46号铭诚国际大厦26楼
国籍：CN
代理机构：湖南兆弘专利事务所
代理人：杨斌
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