专利名称：半导体工艺的成膜装置以及方法专利类型：发明专利
发明人：长谷部一秀,周保华,金采虎申请号：CN200510077437.6申请日：20050621公开号：CN1713351A公开日：20051228
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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