专利名称：在SiO衬底上生长ZnO薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：张希清,刘凤娟,孙建,黄海琴,姚志刚,王永生申请号：CN200710099110.8申请日：20070511公开号：CN101055843A公开日：20071017
摘要：本发明公开了一种在SiO衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
申请人：北京交通大学
地址：100044 北京市海淀区西直门外上园村3号
国籍：CN
代理机构：北京市商泰律师事务所
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