专利名称：一种硅湿法刻蚀工艺专利类型：发明专利
发明人：史铁林,聂磊,廖广兰,林晓辉申请号：CN200510019052.4申请日：20050705公开号：CN1710705A公开日：20051221
摘要：本发明公开了一种硅湿法刻蚀工艺。其步骤为：①在洁净的硅片上溅射Cr膜，Cr膜厚度为50nm～600nm；②在Cr掩膜上，利用光刻工艺制备图形；③在(NH)Ce(NO)溶液中对Cr掩模层进行刻蚀，(NH)Ce(NO)溶液的成分配比为：每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为：5～20克，高氯酸为：1.5～8毫升，余量为水；④使用KOH溶液对刻蚀后的硅片进行湿法刻蚀；⑤使用(NH)Ce(NO)刻蚀液，去除硅片上的Cr掩膜层。由于Cr与硅材料结合紧密，因此能在湿法刻蚀时保证足够的牢固性，并且Cr掩模在KOH刻蚀液中的选择性非常好。本发明具有毒性小，加工简单的特点。
申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
国籍：CN
代理机构：华中科技大学专利中心
代理人：曹葆青
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