通过采用内置有源偏置电路, M GA -634P8的工作电流是可调的。这允许设计人员在工作电流和输出线性之间进行权衡取舍, 同时保持最佳噪声系数。BT S 设计人员可以通过同一款Avago LNA 来应对各种设计需求和区域要求。
现在, 随着发送/接收卡必须安装越来越多的信道, PCB 基板已成为BT S 工程师面临的一个关键设计挑战。M GA -634P 8包装在方形扁平无引线的(QFN 塑料封装中, 大小仅为4平方毫米, 厚度为0. 75毫米。
此外, 新一代M GA-634P8LNA 与现有的900兆赫M GA -633P8LNA 具有相同的封装尺寸、引脚和外部匹配网络。因此, 常见的PCB 设计可以用于以不同频带工作的BTS 射频前端设计, 从而一个基本的PCB 设计便可满足不同区域市场的需求。
江 兴 摘
意法半导体最新SPI 串口EEPROM 存储器
芯片采用SO 8N 封装
意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil (3. 8mm 的微型
SO 8N 封装、
支持SPI (串行外设接口 总线的1兆位串口EEPROM 存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI 串口EEP-ROM 存储器。除窄封装外, 新产
品M 95M 01还有一个SO8W 宽封装版。该产品是为参数快速变化的存储应用专门设计的, 例如:数字电视、DV D 影碟机、游戏机以及医疗设备、工控机、汽车信息娱乐和计算机外设等。存储密度从1千位一直到1兆位, ST 的SPI EEPROM 系列产品是目前市场上的最强大的产品阵容。
M 95M 01采用128-kbits x 8存储结构, 支持字节和页式写模式, 写操作极快, 256字节写操作低于5ms (正常情况下低于13微秒/字节 。数据保存能力超过40年, 耐擦写能力不低于100万次擦写循环。这些串口EEPROM 存储器的工作温度范围是-40°C 到+85°C, 存储器电源电压1. 8V 到5. 5V , 应用灵活性极高。
尺寸极小的SO 8N 封装配高速SPI 接口, M 95M 01将为数字电视、DVD 影碟机、机顶盒和医疗设备制造商降低应用中的电路板空间需求提供机会, 同时还能为设置参数、调谐信息、用户自定义设置和其它数据提供更大的可用存储空间。M 95M 01的样品已经批量上市, 采用SO 8N 和SO 8W 两种封装, 均符合欧洲
RoHS 环保标准。
江 兴 摘
SOT -23功率MOSFET 系列支持-30～100V 的电压
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(Int erna T Ional Rectifier 推出全新HEXFET 功率M OSFET 系列。该器件采用业界标准SOT -23封装, 具有超低导通电阻(RDS (on , 适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动以及电信设备
等应用。
新款SOT -23M OSFET 器件采用IR 最新的中压硅技术, 通过大幅降低90%RDS (on 显著改善了电流处理能力, 为客户的特定应用优化了性能及价格。
新器件达到第一级潮湿敏感度(M SL 1 业界标准, 所采用的材料不含铅, 并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS 。
江 兴 摘
采用微带谐振电路的Push -Push 振荡器阵列
据《信学技报》(日 2010年110-96期报道, 日本佐贺大学开发了低成本、具有高频应用的Push-Push 振荡器阵列。采用X 波段HEM T 器件和2个Push-Push 振荡器阵列化设计, 在Ku 波段的14. 74GHz, 获得451°的输出相位差。输出相位噪声, 1M Hz 失谐时为-107. 5dBc/Hz, 100kHz 失谐时为-84. 2dBc/Hz 。
孙再吉 摘译
无线充电技术的发展
据《Portable Design 》
2010年第10期报道, Qi 无线充电低功耗技术标准已研发成功, 这是业界首个且唯一
的无线充电标准。Qi 读音为“chee ”, 取自“生命能量”之意。到2013年, 全球无线充电市场预测为140亿美元。
目前无线充电联盟的企业包括:Atmel 、Callpod 、LG 电子、美国国家半导体、诺基亚、奥林巴斯、飞利浦、Rohm 、
三星电子、桑菲通讯、索爱、德州仪器、中光电等60家企业。中国作为世界最大的无线移动通信市场, 应用需求庞大。中国
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