专利名称：一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的
PECVD设备
专利类型：发明专利
发明人：刁宏伟,王文静,廖显伯,赵雷申请号：CN200710176718.6申请日：20071101公开号：CN101220468A公开日：20080716
摘要：一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备，包括沉积腔体、气路控制系统、电控系统、真空机组。沉积腔体由位于沉积腔体中间位置的生长腔体(1)和位于生长腔体(1)两侧的进出片室(2)构成。进出片室(2)装有手动开、闭的活动门。进出室(2)配有多片样片自动装卸架。生长腔体(1)内装有四组沉积用平行板电容式电极，每组平行板电容式电极由上下两个对称布置的电极板组成，每组平行板电容式电极之间设有垂直安装的挡板。真空机组由机械泵(3)、冷凝过滤器(4)、废气处理装置(5)组成。电控系统的PLC控制器控制硅基薄膜及硅基薄膜太阳能电池生长过程。本发明制备的硅基薄膜不均匀性＜3％(采用红外透射谱方法测试并计算)，硅基薄膜太阳能电池转换效率＞9％(测试光源：AM1.5；1000W/M)。
申请人：中国科学院电工研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村北二条6号
国籍：CN
代理机构：北京科迪生专利代理有限责任公司
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