（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310561004.2 （22）申请日 2013.11.12
（71）申请人 安集微电子科技(上海)有限公司
地址 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
（10）申请公布号 CN104635439A
（43）申请公布日 2015.05.20
（72）发明人 何春阳;刘兵;孙广胜;黄达辉 （74）专利代理机构 上海翰鸿律师事务所
代理人 李佳铭
（51）Int.CI
G03F7/42;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种光刻胶剥离液及其应用
（57）摘要
本发明公开了一种用于去除光阻残留物的
清洗液及其组成。这种光阻残留物的清洗液含有（a）季胺氢氧化物，（b）醇胺，（c）溶剂，（d）聚醚脂肪酸酯。该清洗液能够明显的降低对金属的腐蚀速率，尤其是对金属铝基本没有腐蚀；同时能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。
法律状态
法律状态公告日
2015-05-20 2017-06-30
公开
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态信息
公开
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
一种光刻胶剥离液及其应用的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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