专利名称：采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王兵,伊晓燕,孔庆峰,刘志强,王军喜,王国宏,李晋闽申请号：CN201310750549.8申请日：20131231公开号：CN103730558A公开日：20140416
摘要：本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于发光二极管未经刻蚀一侧的p型GaN层上，自下而上依次包括：ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和发光二极管被刻蚀一侧的台阶上。本发明提高了透明导电层的抗腐蚀能力，进而提高整个发光二极管器件的合格率。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：曹玲柱
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