专利名称：用于制造具有反射电极的光电子半导体芯片的方法专利类型：发明专利
发明人：亚历山大·普福伊费尔申请号：CN201380045537.3申请日：20130822公开号：CN104603962A公开日：20150506
摘要：本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤：-提供半导体层序列(10)；-将金属的镜层(21)设置在半导体层序列(10)的上侧上；-将镜保护层(3)至少设置在镜层的露出的侧面(21c)上；-部分地移除半导体层序列(10)，其中-镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23)，所述开口沿着横向方向由镜保护层(3)围边，-至少部分地移除半导体层序列(10)在镜层(21)的开口(23)的区域中进行，-以自调节的方式将镜保护层(3)设置在镜层(21)的露出的侧面(21c)上。
申请人：欧司朗光电半导体有限公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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