专利名称：选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置专利类型：发明专利
发明人：张简瑛雪,李佑茗,杨棋铭申请号：CN201410119996.8申请日：20140327公开号：CN104576313A公开日：20150429
摘要：本发明提供了一种选择性地去除氮化硅的方法。该方法包括：提供在该晶圆的表面上具有氮化硅的晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将混合物传送至晶圆的表面以去除氮化硅。还提供了选择性地去除氮化硅的单晶圆蚀刻装置。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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