专利名称：干法刻蚀方法专利类型：发明专利发明人：吴智勇,荆泉,陈力钧申请号：CN201811634732.0申请日：20181229公开号：CN109727857A公开日：20190507
摘要：本申请公开了一种干法刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。本发明的方法能把晶圆表面和晶圆背面的Si‑O‑Cl聚合物同时去除干净，并保证晶圆背面干净无Si‑O‑Cl颗粒。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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