专利名称：单向TVS器件结构专利类型：实用新型专利
发明人：张常军,王平,陈祖银,周琼琼申请号：CN201520322252.6申请日：20150518公开号：CN204558471U公开日：20150812
摘要：本实用新型提供了一种单向TVS器件结构，通过在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的粘附性，氮氧化硅层不易吸潮，有利于提高单向TVS器件的可靠性。此外，本实用新型在硅衬底正面和背面淀积氮化硅层作为掩蔽层，这样在刻蚀硅衬底形成凹槽时，由于腐蚀硅的腐蚀液基本不腐蚀氮化硅，可避免硅衬底正面采用常规光刻胶做掩蔽时所产生的脱胶问题，同时硅衬底背面的氮化硅层也可以保护硅衬底背面不被腐蚀，从而保证硅衬底整体无变形。
申请人：杭州士兰集成电路有限公司
地址：310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：余毅勤
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