（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201910015754.7 （22）申请日 2019.01.08
（71）申请人 天津中环领先材料技术有限公司
地址 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
（10）申请公布号 CN109500663A
（43）申请公布日 2019.03.22
（72）发明人 石明;王广勇;吴镐硕;刘秒;吕莹;徐荣清 （74）专利代理机构 天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 刘莹
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺
（57）摘要
本发明提供了一种降低8英寸硅抛光片表
面粗糙度的抛光工艺，其抛光工艺包括如下步骤：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。本发明克服现有技术的不足，降低抛光片表面粗糙度，粗糙度可降低到0.0001um以下。
法律状态
法律状态公告日
2019-03-22 2019-03-22 2019-04-16
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
权利要求说明书
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说明书
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