专利名称：氧化镓场效应晶体管的制备方法专利类型：发明专利
发明人：吕元杰,宋旭波,冯志红,谭鑫,王元刚,周幸叶,马春雷,
邹学锋
申请号：CN201710596165.3申请日：20170720公开号：CN107464844A公开日：20171212
摘要：本发明公开了一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；去除所述氧化镓外延片的栅区对应的重掺杂氧化镓层；分别在源区和漏区的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧；在所述栅区的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够避免降低氧化镓场效应晶体管的击穿电压。
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
地址：050051 河北省石家庄市合作路113号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：夏素霞
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