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7.5.1-10-j-01 科 目 第六章 晶闸管及其应用电路 电子技术基础 授 10高汽修3班: 课 10中汽修8班: 日 期 10中制冷1班: 课 时 2 课 一、晶闸管的结构符号 二、晶闸管的工作特性 题 三、晶闸管的参数 四、晶闸管的型号 使学生懂得 1. 晶闸管的结构符号; 2. 晶闸管的工作特性; 3. 晶闸管的参数 §6—1 晶闸管 班 级 10高汽修3班 10中汽修8班 10中制冷1班 教 学 目 的 4. 晶闸管的型号识读 选 用 教 具 挂 图 重 点 1. 晶闸管的结构符号; 2. 晶闸管的工作特性; 难 点 晶闸管的结构、工作特性 教 学 回 顾 稳压电路 说 明 审阅签名: 年 月 日
教学过程
【组织教】
1. 起立,师生互相问好,营造良好的课堂氛围 2. 坐下,清点人数,指出和纠正存在问题 【导入新课】
1. 教学回顾:稳压电路
2. 切入新课:前面我们学习的二极管整流,现在,我们就来学习有关的知识。 【讲授新课】
第六章 晶闸管及其应用电路 §6—1 晶闸管
晶闸管是硅晶体闸流管的简称,原名为可控硅整流器,也叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier)其特点是:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏),使半导体从弱电进入强电领域。晶闸管主要用于整流、逆变、调压、开关四个方面。晶闸管可分下列种类:
本书介绍单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管。 一、单向晶闸管的结构、符号
单向晶闸管由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A(anode),第三层P型半导体引出的电极叫控制极G(gate pole),第四层N型半导体引出的电极叫阴极K(kathode)。晶闸管有螺旋型和平板型等几种。单向晶闸管和二极管一样是一种单向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。晶闸管的文字符号为“V”。普通晶闸管外形、结构和符号见图6—1。
二、普通晶闸管工作特性
1.晶闸管阳、阴极间加正向电压而门极不加正向电压时,晶闸管不导通,如图6—2.1所示; 2.晶闸管阳、阴极间加正向电压而门极也加正向电压时,晶闸管导通,如图6—2.2所示; 3.晶闸管导通后,打开开关S去掉门极上的正向电压,晶闸管仍然导通,如图6—2.3所示;
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图6—1 普通晶闸管外形、结构和符号教学过程
4.晶闸管阳、阴极间加加反向电压,无论门极加电压与否,晶闸管不导通,如图6—2.4所示。
可见,晶闸管导通的条件是:
1.晶闸管阳极电路加足够的正向电压(要足以在去掉触发电压后仍能产生足够的维持电流); 2.晶闸管门极与阴极之间必须加足够的正向电压。
晶闸管导通后和晶体管一样具有单向导电性。晶闸管一旦导通,门极便失去控制作用。
图6—2 晶闸管导通、关断图①降低A、K间的电压,使阳极电流小于维持电流;关断晶闸管的条件:②A、K间的电压减小到为零;
③给A、K极间加反向电压。晶闸管的导通原理(图6—3)
可把晶闸管看成是由PNP和NPN两个型两个晶闸管连接而成,每一个晶体管的基极与另一个晶体管的集电极连结。
IARGEGKP 1N1P 2N2EAKP 1GEGKN1P 2N1P 2N2EAKV12IGV 2EAKGEGKIG12IGIK图6—3 晶闸管的导通原理图如果闸体管的阳极A加正向电压,控制极G也加正向电压,如图8—16所示,当EAK足够大时,晶体管V2发射结正向偏置,集电结反向偏置,V2导通,基极电流即是控制极电流IG(由EGK产生),集电极电流为2IG; 同理V1发射结正向偏置,集电结反向偏置,V1导通,基极电流即
三、晶闸管的主要参数 晶闸管的主要参数见表6—1
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教学过程
表6—1 晶闸管的主要参数 参数 符号 正向转 UBO 折电压 断态重复 UDRM 峰值电压 反向重复 URRM 峰值电压 通态平 IT(AV) 均电流 通态平 UT(AV) 均电压 晶闸管 IH 维持电流 额定电压 UD 说明 在额定结温(100A以上为115℃,50A以下为100℃)和控制极断开的条件下,A—K间加正弦半波正向电压,晶闸管由断态发生正向转折变成通态所对应的电压峰值 门极断开,结温为额定值时,允许加在A、K极间的最大正向电压。此两者不电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。 等,但门极断开,结温为额定值时,允许加在A、K极间的最大反向电压。此相差不大 电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压 简称正向电流。指在规定环境温度(不大于40℃)和标准散热条件下,结温为额定值,A、K极间允许通过的工频正弦半波电流在一个周期内的平均值 习惯上称为导通时的管压降。结温稳压,通过通态平均电流时,A、K极间电压的平均值。这个电压当然越小越好,一般为0.4V~1.2V 在门极断路和规定的环境温度下,维持晶闸管继续导通时需要的最小阳极电流。一般为几十到几百毫安,要使晶闸管判断,必须IA 如3CT—5/500表示额定电流5A,额定电压500V的普通晶闸管。 如KP100—12/G表示额定电流100A,额定电压1200V,正向通态电压级别为G(1V)的普通反向阻断型晶闸管。KP5—10表示通态平均电流5安,正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。 注:JB1144-7575对通态平均电压级别的含义规定如下: A B C D E F G H I ≤0.4 0.4~0.5 0.5~0.6 0.6~0.7 0.7~0.8 0.8~0.9 0.9~1.0 1.0~1.1 1.1~1.2 【课堂小结】 1. 晶闸管是硅晶体闸流管的简称,原名为可控硅整流器,也叫可控硅,其体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大。其使半导体从弱电进入强电领域。主要用于整流、逆变、调压、开关四个方面。 2. 晶闸管导通的条件是: ①.晶闸管阳极电路加足够的正向电压(要足以在去掉触发电压后仍能产生足够的维持电流); ②.晶闸管门极与阴极之间必须加足够的正向电压。 晶闸管导通后和晶体管一样具有单向导电性。晶闸管一旦导通,门极便失去控制作用。 ①降低A、K间的电压,使阳极电流小于维持电流;3. 关断晶闸管的条件:②A、K间的电压减小到为零; ③给A、K极间加反向电压。【布置作业】 《习题册》§6—1 3 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容