（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201711215505.X （22）申请日 2017.11.28
（71）申请人 厦门市三安集成电路有限公司
地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
（10）申请公布号 CN108198750A
（43）申请公布日 2018.06.22
（72）发明人 宋健
（74）专利代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 张松亭
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种砷化镓晶圆的光刻工艺
（57）摘要
本发明公开了一种砷化镓晶圆的光刻工
艺，于待蚀刻砷化镓晶圆表面先沉积一层氮化硅层，再于氮化硅层上形成正光阻层，对正光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口之后，对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，然后对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻，剥离光阻后通过干法蚀刻去除余下的氮化硅。本发明在砷化镓晶圆表面先镀上一层氮化硅后再涂布正光阻，氮化硅与砷化镓和正光阻均具有较好的结合
力，以氮化硅作为粘结层提高了光阻和砷化镓表面之间的粘附力，从而避免了因粘附力不够出现的侧蚀不良等问题，提高了产品的良率。
法律状态
法律状态公告日
2018-06-22 2018-06-22 2018-07-17
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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公开 公开
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权利要求说明书
一种砷化镓晶圆的光刻工艺的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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